STMicroelectronics 1 Type N, Type N-Kanal Enkelt, 25 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-220
- RS-varenummer:
- 192-4662
- Producentens varenummer:
- STP26N65DM2
- Brand:
- STMicroelectronics
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
- RS-varenummer:
- 192-4662
- Producentens varenummer:
- STP26N65DM2
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N, Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 25A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Overflade, Hulmontering, Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 190Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 25V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 160W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 35.5nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.6V | |
| Transistorkonfiguration | Enkelt | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | FCC Part 68, RoHS, TIA-1096-A | |
| Bredde | 4.6mm | |
| Højde | 15.75mm | |
| Længde | 10.4mm | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N, Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 25A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Overflade, Hulmontering, Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 190Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 25V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 160W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 35.5nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.6V | ||
Transistorkonfiguration Enkelt | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser FCC Part 68, RoHS, TIA-1096-A | ||
Bredde 4.6mm | ||
Højde 15.75mm | ||
Længde 10.4mm | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Denne højspændings N-kanals Power MOSFET er en del af MDmeshTM DM2-diodeserien med hurtig genopretning. Den tilbyder meget lav genoprettelsesladning (Qrr) og tid (trr) kombineret med lav RDS(on), hvilket gør den velegnet til de mest krævende konvertere med høj effektivitet og velegnet til brotopologier og ZVS-faseskiftkonvertere.
Husdiode med hurtig genopretning
Ekstremt lav gate-opladning og indgangskapacitet
Lav modstand ved tændt
Ekstremt høj dv/dt-robusthed
Zener-beskyttet
Relaterede links
- STMicroelectronics 1 Type N 25 A 650 V Forbedring TO-220
- STMicroelectronics 1 Type N-Kanal Enkelt 5 A 650 V Forbedring TO-220, MDmesh M2
- STMicroelectronics 1 Type N-Kanal Enkelt 12 A 650 V Forbedring TO-220, MDmesh M2
- STMicroelectronics Type N-Kanal 20 A 650 V Forbedring TO-220
- STMicroelectronics Type N-Kanal 17 A 650 V Forbedring TO-220, MDmesh
- STMicroelectronics Type N-Kanal 3.5 A 650 V Forbedring TO-220, MDmesh M2
- STMicroelectronics Type N-Kanal 12 A 650 V Forbedring TO-220, MDmesh M5
- STMicroelectronics Type N-Kanal 8.5 A 650 V Forbedring TO-220, MDmesh M5