STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 5.5 A 600 V Forbedring, 8 Ben, PowerFLAT
- RS-varenummer:
- 192-4825P
- Producentens varenummer:
- STL10N60M6
- Brand:
- STMicroelectronics
Få rabat ved storkøb
Tilføj 250 flere for at gemme Kr. 826,50
Se mængderabatterIndhold 50 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 694,10
(ekskl. moms)
Kr. 867,60
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 08. marts 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Besparelse |
|---|---|---|
| 50 - 245 | Kr. 13,882 | - |
| 250 - 495 | Kr. 10,576 | Kr. 826,50 |
| 500 + | Kr. 9,394 | Kr. 2.244,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 192-4825P
- Producentens varenummer:
- STL10N60M6
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 5.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Emballagetype | PowerFLAT | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 660mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 8.8nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.6V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 48W | |
| Portkildespænding maks. | 25V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 5mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 6mm | |
| Højde | 950μm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 5.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Emballagetype PowerFLAT | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 660mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 8.8nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.6V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 48W | ||
Portkildespænding maks. 25V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 5mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 6mm | ||
Højde 950μm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Den nye MDmesh™ M6-teknologi indeholder de seneste fremskridt inden for den velkendte og konsoliderede MDmesh-serie af SJ MOSFET'er. STMicroelectronics bygger på den tidligere generation af MDmesh-enheder via den nye M6-teknologi, som kombinerer fremragende RDS(on) pr. områdeforbedring med en af de mest effektive skifteegenskaber, der er tilgængelige, samt en brugervenlig oplevelse, der giver maksimal effektivitet i slutanvendelsen.
Reduceret skiftetab
Sænk RDS(on) pr. område i forhold til forrige generation
Lav indgangsmodstand for gate
Zener-beskyttet