STMicroelectronics 1 N-Kanal Enkelt, 7 A 600 V Forbedring, 8 Ben, PowerFLAT (5 x 6) HV
- RS-varenummer:
- 192-4849P
- Producentens varenummer:
- STL13N60M6
- Brand:
- STMicroelectronics
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
- RS-varenummer:
- 192-4849P
- Producentens varenummer:
- STL13N60M6
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Kanaltype | N | |
| Transistorkonfiguration | Enkelt | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. (Id) | 7 A | |
| Drain source spænding maks. (Vds) | 600 V | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Benantal | 8 | |
| Emballagetype | PowerFLAT (5 x 6) HV | |
| Gennemgangsspænding (Vf) | 1.6 V | |
| Højde | 950 μm | |
| Længde | 6 mm | |
| Drain source modstand maks. (Rds) | 415 mΩ | |
| Portkildespænding maks. | 25 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150 °C | |
| Effektafsættelse maks. (Pd) | 52 W | |
| Min. driftstemperatur | -55 °C | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Bredde | 5 mm | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Kanaltype N | ||
Transistorkonfiguration Enkelt | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. (Id) 7 A | ||
Drain source spænding maks. (Vds) 600 V | ||
Kanalform Forbedring | ||
Benantal 8 | ||
Emballagetype PowerFLAT (5 x 6) HV | ||
Gennemgangsspænding (Vf) 1.6 V | ||
Højde 950 μm | ||
Længde 6 mm | ||
Drain source modstand maks. (Rds) 415 mΩ | ||
Portkildespænding maks. 25 V | ||
Driftstemperatur maks. 150 °C | ||
Effektafsættelse maks. (Pd) 52 W | ||
Min. driftstemperatur -55 °C | ||
Monteringstype Overflade | ||
Bredde 5 mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The new MDmesh M6 technology incorporates the most recent advancements to the well-known and consolidated MDmesh family of SJ MOSFETs. STMicroelectronics builds on the previous generation of MDmesh devices through its new M6 technology, which combines excellent RDS(on) per area improvement with one of the most effective switching behaviors available, as well as a user-friendly experience for maximum end-application efficiency.
Reduced switching losses
Lower RDS(on) per area vs previous generation
Low gate input resistance
Zener-protected