STMicroelectronics 1 N-Kanal Enkelt, 25 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-220
- RS-varenummer:
- 192-4952P
- Producentens varenummer:
- STP26N65DM2
- Brand:
- STMicroelectronics
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
- RS-varenummer:
- 192-4952P
- Producentens varenummer:
- STP26N65DM2
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Kanaltype | N | |
| Transistorkonfiguration | Enkelt | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. (Id) | 25 A | |
| Drain source spænding maks. (Vds) | 650 V | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Benantal | 3 | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Gennemgangsspænding (Vf) | 1.6 V | |
| Højde | 15.75 mm | |
| Længde | 10.4 mm | |
| Drain source modstand maks. (Rds) | 190 Ω | |
| Portkildespænding maks. | 25 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150 °C | |
| Effektafsættelse maks. (Pd) | 160 W | |
| Min. driftstemperatur | -55 °C | |
| Monteringstype | Overflade, Hulmontering, Hulmontering | |
| Standarder/godkendelser | FCC Part 68, RoHS, TIA-1096-A | |
| Gate-ladning ved (Qg) Vgs typisk | 35.5 nC | |
| Bredde | 4.6 mm | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Kanaltype N | ||
Transistorkonfiguration Enkelt | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. (Id) 25 A | ||
Drain source spænding maks. (Vds) 650 V | ||
Kanalform Forbedring | ||
Benantal 3 | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Gennemgangsspænding (Vf) 1.6 V | ||
Højde 15.75 mm | ||
Længde 10.4 mm | ||
Drain source modstand maks. (Rds) 190 Ω | ||
Portkildespænding maks. 25 V | ||
Driftstemperatur maks. 150 °C | ||
Effektafsættelse maks. (Pd) 160 W | ||
Min. driftstemperatur -55 °C | ||
Monteringstype Overflade, Hulmontering, Hulmontering | ||
Standarder/godkendelser FCC Part 68, RoHS, TIA-1096-A | ||
Gate-ladning ved (Qg) Vgs typisk 35.5 nC | ||
Bredde 4.6 mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM2 fast-recovery diode series. It offers very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high-efficiency converters and Ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
Fast-recovery body diode
Extremely low gate charge and input capacitance
Low on-resistance
Extremely high dv/dt ruggedness
Zener-protected