STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 53 A 300 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, MDmesh M5
- RS-varenummer:
- 192-4977P
- Producentens varenummer:
- STB45N30M5
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold 10 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 479,45
(ekskl. moms)
Kr. 599,31
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 21. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 10 - 18 | Kr. 47,945 |
| 20 - 48 | Kr. 45,29 |
| 50 - 98 | Kr. 42,90 |
| 100 + | Kr. 40,765 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 192-4977P
- Producentens varenummer:
- STB45N30M5
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 53A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 300V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | MDmesh M5 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.04Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 95nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 250W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 4.37mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 10.4mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 53A | ||
Drain source spænding maks. Vds 300V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie MDmesh M5 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.04Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 95nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 250W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 4.37mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 10.4mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Denne enhed er en N-kanal Power MOSFET baseret på den innovative vertikale procesteknologi MDmesh™ M5 kombineret med det velkendte PowerMESH™ horisontale layout. Det resulterende produkt har ekstremt lav modstand, hvilket gør det særligt velegnet til anvendelser, der kræver høj effekt og overlegen effektivitet.
Ekstremt lav RDS (til)
Lav gate-opladning og indgangskapacitet
Fremragende skifteevne