onsemi, MOSFET Forbedring, 24 Ben, QFN, NCV51705 AEC-Q100

Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (100 enheder, leveres på en sammenhængende strimmel)*

Kr. 1.756,30

(ekskl. moms)

Kr. 2.195,40

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 940 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager

Enheder
Per stk.
100 - 240Kr. 17,563
250 +Kr. 15,222

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
195-2459P
Producentens varenummer:
NCV51705MNTWG
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Produkttype

MOSFET

Emballagetype

QFN

Serie

NCV51705

Monteringstype

Overflade

Benantal

24

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-40°C

Effektafsættelse maks. Pd

2.9W

Driftstemperatur maks.

125°C

Bredde

4.1mm

Længde

4.1mm

Højde

0.85mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

AEC-Q100

NCV51705-driveren er designet til primært at drive SiC MOSFET-transistorer. For at opnå det lavest mulige ledningstab kan driveren levere den maksimalt tilladte gate-spænding til SiC MOSFET-enheden. Ved at levere høj peak-strøm under tænding og slukning minimeres tab ved omskiftning også. For at opnå større pålidelighed, DV/dt-immunitet og endnu Faster Turn-Off kan NCV51705 bruge sin indbyggede ladepumpe til at generere en negativ spændingsskinne, der kan vælges af brugeren. Til isolerede anvendelser giver NCV51705 også en eksternt tilgængelig 5 V skinne til at strømforsyne den sekundære side af digitale eller højhastigheds opto isolatorer.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.