onsemi N-Kanal, MOSFET, 116 A 80 V Forbedring, 8 Ben, PQFN, FDMS
- RS-varenummer:
- 195-2499P
- Producentens varenummer:
- FDMS4D5N08LC
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 100 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 955,20
(ekskl. moms)
Kr. 1.194,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 3.000 enhed(er) afsendes fra 07. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 100 - 240 | Kr. 9,552 |
| 250 + | Kr. 8,49 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 195-2499P
- Producentens varenummer:
- FDMS4D5N08LC
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 116A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Serie | FDMS | |
| Emballagetype | PQFN | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 7.5mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 51nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 113.6W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 5mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 5.85mm | |
| Højde | 1.05mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 116A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Serie FDMS | ||
Emballagetype PQFN | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 7.5mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 51nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 113.6W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 5mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 5.85mm | ||
Højde 1.05mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Denne N-kanal MV MOSFET er produceret med ON Semiconductor's advancerede PowerTrench® proces, der omfatter skærmet gate-teknologi. Denne proces er blevet optimeret til at minimere modstand i ledetilstand og alligevel bevare uovertruffen switching-ydelse med en best-in-class blød husdiode
Skærmet Gate MOSFET-teknologi
Maks. rDS(on) = 4,0 mΩ ved VGS = 10 V, ID = 37 A
Maks. rDS(on) = 11,1 mΩ ved VGS = 4,5 V, ID = 29 A
50 % lavere Qrr end andre MOSFET-leverandører
Sænker switching-støj/EMI
Logisk Niveaustyring
Anvendelse
Dette produkt er til generel brug og velegnet til mange forskellige opgaver.