onsemi N-Kanal, MOSFET, 71 A 40 V Forbedring, 4 Ben, LFPAK, NTMYS5D3N04C
- RS-varenummer:
- 195-2521P
- Producentens varenummer:
- NTMYS5D3N04CTWG
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 100 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 766,80
(ekskl. moms)
Kr. 958,50
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Manglende forsyning
- Plus 975 enhed(er) afsendes fra 05. oktober 2026
Vores nuværende beholdning er begrænset, og vores leverandører forventer mangel på det.
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 100 - 225 | Kr. 7,668 |
| 250 + | Kr. 6,645 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 195-2521P
- Producentens varenummer:
- NTMYS5D3N04CTWG
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 71A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | LFPAK | |
| Serie | NTMYS5D3N04C | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 5.3mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 50W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 16nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 5mm | |
| Højde | 1.15mm | |
| Bredde | 4.25mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 71A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype LFPAK | ||
Serie NTMYS5D3N04C | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 5.3mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 50W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 16nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 5mm | ||
Højde 1.15mm | ||
Bredde 4.25mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Industriel Power MOSFET i et 5 x 6 mm fladt blyhus, der er beregnet til kompakte og effektive design og høj termisk ydelse.
Lille fysisk størrelse (5x6 mm) til kompakt design
Lav RDS(on) for at minimere ledningstab
Lav QG og kapacitet for at minimere drivertab
Lfpak4 Hus, Industristandard
Disse enheder er blyfrie