onsemi N-Kanal, MOSFET, 21 A 60 V Forbedring, 4 Ben, LFPAK, NVMYS025N06CL AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 195-2552
- Producentens varenummer:
- NVMYS025N06CLTWG
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (50 enheder, i en pakke med 50)*
Kr. 300,15
(ekskl. moms)
Kr. 375,20
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 08. oktober 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 50 - 450 | Kr. 6,003 | Kr. 300,15 |
| 500 - 950 | Kr. 5,176 | Kr. 258,80 |
| 1000 + | Kr. 4,487 | Kr. 224,35 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 195-2552
- Producentens varenummer:
- NVMYS025N06CLTWG
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 21A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | LFPAK | |
| Serie | NVMYS025N06CL | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 43mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 5.8nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 24W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 5mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 4.25mm | |
| Højde | 1.15mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 21A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype LFPAK | ||
Serie NVMYS025N06CL | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 43mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 5.8nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 24W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 5mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 4.25mm | ||
Højde 1.15mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Bilstrøm MOSFET i et DPAK-hus, der er beregnet til kompakte og effektive design og herunder høj termisk ydelse. MOSFET- og PPAP-kompatibel velegnet til brug i biler, der kræver forbedret pålidelighed på kortniveau.
Lille fysisk størrelse (5x6 mm) til kompakt design
Lav RDS(on) for at minimere ledningstab
Lav QG og kapacitet for at minimere drivertab
Lfpak4 Hus, Industristandard
PPAP-kapacitet
Disse enheder er blyfrie