onsemi N-Kanal, MOSFET, 313 A 40 V Forbedring, 8 Ben, DFN
- RS-varenummer:
- 195-2664P
- Producentens varenummer:
- NTMFSC0D9N04CL
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 100 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 1.055,40
(ekskl. moms)
Kr. 1.319,20
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 12. oktober 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 100 - 240 | Kr. 10,554 |
| 250 + | Kr. 9,148 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 195-2664P
- Producentens varenummer:
- NTMFSC0D9N04CL
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 313A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | DFN | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 850μΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 143nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 167W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 950μm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 5mm | |
| Længde | 5.9mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 313A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype DFN | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 850μΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 143nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 167W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 950μm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 5mm | ||
Længde 5.9mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Denne N-kanal MOSFET er fremstillet ved hjælp af ON Semiconductors Advanced Power Trench ® -proces. Fremskridt inden for både silikone- og Dual Cool™-pakketeknologier er blevet kombineret for at give den laveste RDS (on), samtidig med at den fremragende switching-ydeevne opretholdes ved ekstremt lav termisk modstand mellem samledåse og omgivende temperatur.
Top- og bundside eksponeret i standard 5x6 mm benafstand
Forbedret termisk afledning gennem top- og bundsiden af pakken
Ultra lav Rds(til)
Reduceret ledetab
Reduceret kapacitans og pakkselvinduktion
Reduceret skiftetab
Anvendelse
Synkron ensretter i AC-DC og DC-DC strømforsyninger
Motorkontakt
Belastningsomskifter