Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	onsemi
	Produkttype	MOSFET
	Kanaltype	Type N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	337A
	Drain source spænding maks. Vds	80V
	Emballagetype	DFN
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	8
	Drain source modstand maks. Rds	1.1mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	147nC
	Effektafsættelse maks. Pd	300W
	Driftstemperatur maks.	175°C
	Højde	1.15mm
	Længde	8.1mm
	Standarder/godkendelser	No
	Bilindustristandarder	AEC-Q101

	Vælg alle
	Brand onsemi
	Produkttype MOSFET
	Kanaltype Type N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 337A
	Drain source spænding maks. Vds 80V
	Emballagetype DFN
	Monteringstype Overflade
	Benantal 8
	Drain source modstand maks. Rds 1.1mΩ
	Kanalform Forbedring
	Min. driftstemperatur -55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 147nC
	Effektafsættelse maks. Pd 300W
	Driftstemperatur maks. 175°C
	Højde 1.15mm
	Længde 8.1mm
	Standarder/godkendelser No
	Bilindustristandarder AEC-Q101

Datasheet NVMTS1D2N08H

Bilstrøm MOSFET i et 5 x 6 mm fladt blyhus, der er beregnet til kompakte og effektive design og herunder høj termisk ydelse. Flanke, der kan fugtes, giver forbedret optisk inspektion. MOSFET- og PPAP-kapacitet er velegnet til brug i biler.

Lille format (5 x 6 mm)

Kompakt design

Lav RDS(on)

Minimere konduktive tab

Lav QG og kapacitet

Minimer drivertab

Vanddispergerbar flanke (ekstraudstyr)

Forbedret optisk inspektion

PPAP-kapacitet

Anvendelse

Beskyttelse mod omvendt batteritilslutning

Strømkontakter (højside driver, lavside driver, H-broer osv.)

onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 337 A 80 V Forbedring, 8 Ben, DFN AEC-Q101

Relaterede links