STMicroelectronics Type N-Kanal, SiC-strømmodul, 12 A 1200 V Udtømning, 3 Ben, Hip-247, SCT AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 202-4803P
- Producentens varenummer:
- SCT10N120AG
- Brand:
- STMicroelectronics
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
- RS-varenummer:
- 202-4803P
- Producentens varenummer:
- SCT10N120AG
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | SiC-strømmodul | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 12A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1200V | |
| Emballagetype | Hip-247 | |
| Serie | SCT | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.52Ω | |
| Kanalform | Udtømning | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 150W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 4.3V | |
| Driftstemperatur maks. | 200°C | |
| Højde | 34.95mm | |
| Længde | 15.75mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype SiC-strømmodul | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 12A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1200V | ||
Emballagetype Hip-247 | ||
Serie SCT | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.52Ω | ||
Kanalform Udtømning | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 150W | ||
Gennemgangsspænding Vf 4.3V | ||
Driftstemperatur maks. 200°C | ||
Højde 34.95mm | ||
Længde 15.75mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics Automotive siliciumkarbid Power MOSFET har meget lille variation af modstand mod temperatur. Den har meget høj driftstemperatur.
Meget hurtig og robust intrinsic body diode
Lav kapacitet