STMicroelectronics N-Kanal, SiC-strømmodul, 16 A 1.2 kV Udtømning, 3 Ben, Hip-247, SCT AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 202-4806P
- Producentens varenummer:
- SCT20N120AG
- Brand:
- STMicroelectronics
Få rabat ved storkøb
Tilføj 1200 flere for at gemme 1%
Se mængderabatterIndhold 10 enheder (leveres i et rør)*
Kr. 892,50
(ekskl. moms)
Kr. 1.115,60
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 582 enhed(er) afsendes fra 09. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Besparelse |
|---|---|---|
| 10 - 1199 | Kr. 89,25 | - |
| 1200 + | Kr. 88,16 | 1% |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 202-4806P
- Producentens varenummer:
- SCT20N120AG
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | SiC-strømmodul | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 16A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1.2kV | |
| Emballagetype | Hip-247 | |
| Serie | SCT | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.52Ω | |
| Kanalform | Udtømning | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 153W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 45nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 25V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 3.6V | |
| Driftstemperatur maks. | 200°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 4.7mm | |
| Længde | 10.4mm | |
| Højde | 15.8mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype SiC-strømmodul | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 16A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1.2kV | ||
Emballagetype Hip-247 | ||
Serie SCT | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.52Ω | ||
Kanalform Udtømning | ||
Effektafsættelse maks. Pd 153W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 45nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 25V | ||
Gennemgangsspænding Vf 3.6V | ||
Driftstemperatur maks. 200°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 4.7mm | ||
Længde 10.4mm | ||
Højde 15.8mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics Automotive siliciumkarbid Power MOSFET har meget lille variation af modstand mod temperatur. Den har meget høj driftstemperatur.
Meget hurtig og robust intrinsic body diode
Lav kapacitet