STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 33 A 1.2 kV Udtømning, 3 Ben, Hip-247, SCT
- RS-varenummer:
- 202-5490P
- Producentens varenummer:
- SCTW40N120G2VAG
- Brand:
- STMicroelectronics
Få rabat ved storkøb
Tilføj 100 flere for at gemme 1%
Se mængderabatterIndhold 10 enheder (leveres i et rør)*
Kr. 1.111,50
(ekskl. moms)
Kr. 1.389,40
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 12. juli 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Besparelse |
|---|---|---|
| 10 - 99 | Kr. 111,15 | - |
| 100 - 1199 | Kr. 109,81 | 1% |
| 1200 + | Kr. 108,46 | 2% |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 202-5490P
- Producentens varenummer:
- SCTW40N120G2VAG
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 33A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1.2kV | |
| Emballagetype | Hip-247 | |
| Serie | SCT | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.105Ω | |
| Kanalform | Udtømning | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 63nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 290W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 3.4V | |
| Portkildespænding maks. | 22V | |
| Driftstemperatur maks. | 200°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 5.15mm | |
| Længde | 15.75mm | |
| Højde | 34.95mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 33A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1.2kV | ||
Emballagetype Hip-247 | ||
Serie SCT | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.105Ω | ||
Kanalform Udtømning | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 63nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 290W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 3.4V | ||
Portkildespænding maks. 22V | ||
Driftstemperatur maks. 200°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 5.15mm | ||
Længde 15.75mm | ||
Højde 34.95mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
STMicroelectronics siliciumkarbid-power MOSFET i bilkvalitet er udviklet med ST's Advanced og innovative 2. Generation af SiC MOSFET-teknologi. Enheden har en bemærkelsesværdig lav modstand på enheden pr. enhedsområde og en meget god skifteevne.
Meget hurtig og robust intrinsic body diode
Lav kapacitet