onsemi N-Kanal, MOSFET, 58 A 1.2 kV Forbedring, 4 Ben, TO-247, NVH
- RS-varenummer:
- 202-5738P
- Producentens varenummer:
- NVH4L040N120SC1
- Brand:
- onsemi
Indhold (2 enheder, leveres i et rør)*
Kr. 283,27
(ekskl. moms)
Kr. 354,09
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 394 enhed(er) afsendes fra 05. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 2 + | Kr. 141,635 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 202-5738P
- Producentens varenummer:
- NVH4L040N120SC1
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 58A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1.2kV | |
| Serie | NVH | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 56mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 106nC | |
| Min. driftstemperatur | -50°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 319W | |
| Portkildespænding maks. | 25V | |
| Driftstemperatur maks. | 170°C | |
| Bredde | 5.2mm | |
| Længde | 15.8mm | |
| Højde | 22.74mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 58A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1.2kV | ||
Serie NVH | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 56mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 106nC | ||
Min. driftstemperatur -50°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 319W | ||
Portkildespænding maks. 25V | ||
Driftstemperatur maks. 170°C | ||
Bredde 5.2mm | ||
Længde 15.8mm | ||
Højde 22.74mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Siliciumkarbid (SiC) MOSFET, N-kanal - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO247−4L siliciumkarbid MOSFET, N-kanal, 1200 V, 40 mΩ, TO247-4L
ON Semiconductor siliciumkarbid Power MOSFET kører med 58 ampere og 1200 volt. Den kan bruges i biler med indbygget oplader, DC- eller DC-konverter.
AEC Q101 kvalificeret
Produktionsvarens godkendelsesproces
100 % avalanche-testet
Lav effektiv udgangskapacitet