Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 575 A 40 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK (8x8L), SQJQ144AE AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 204-7198P
- Producentens varenummer:
- SQJQ144AE-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 50 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 702,35
(ekskl. moms)
Kr. 877,95
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 03. maj 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 50 - 90 | Kr. 14,047 |
| 100 - 240 | Kr. 12,305 |
| 250 - 490 | Kr. 11,429 |
| 500 + | Kr. 9,485 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 204-7198P
- Producentens varenummer:
- SQJQ144AE-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 575A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | PowerPAK (8x8L) | |
| Serie | SQJQ144AE | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.9mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 145nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 600W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 8mm | |
| Længde | 8.2mm | |
| Standarder/godkendelser | AEC-Q101 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 575A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype PowerPAK (8x8L) | ||
Serie SQJQ144AE | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.9mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 145nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 600W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 8mm | ||
Længde 8.2mm | ||
Standarder/godkendelser AEC-Q101 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Vishay Automotive N-kanal 40 V (D-S) 175 °C MOSFET har et tyndt 1,6 mm hus.
Meget lav termisk modstand
TrenchFET Gen IV Power MOSFET