onsemi N-Kanal, MOSFET, 61 A 150 V Forbedring, 8 Ben, PQFN, PowerTrench
- RS-varenummer:
- 205-2430P
- Producentens varenummer:
- NTMFS015N15MC
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 100 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 1.470,60
(ekskl. moms)
Kr. 1.838,20
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 550 enhed(er) afsendes fra 07. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 100 - 240 | Kr. 14,706 |
| 250 + | Kr. 12,738 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 205-2430P
- Producentens varenummer:
- NTMFS015N15MC
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 61A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 150V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Emballagetype | PQFN | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 14mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 27nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 108.7W | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 5.9mm | |
| Bredde | 4.9mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Højde | 900μm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 61A | ||
Drain source spænding maks. Vds 150V | ||
Serie PowerTrench | ||
Emballagetype PQFN | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 14mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 27nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 108.7W | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 5.9mm | ||
Bredde 4.9mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Højde 900μm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
ON Semiconductor Power Trench-serien 150 V N-kanal MOSFET er fremstillet ved hjælp af Advanced Process, der indeholder skærmet gate-teknologi. Denne proces er blevet optimeret til at minimere modstand i ledetilstand og alligevel bevare uovertruffen switching-ydelse med en best-in-class blød husdiode
Den maksimale mærkestrøm er 61A
Modstanden mellem afløbet og kilden er 14 Mohm
Kompakt konstruktion med lille bundareal (5 mm x 6 mm)
Lav RDS(on) for at minimere ledningstab
Lav QG og kapacitans for at minimere tab af driver
100 % UIL-testet
Pakken har effekt 56 (PQFN8)