onsemi N-Kanal, MOSFET, 150 A 25 V Forbedring, 8 Ben, PQFN, Power
- RS-varenummer:
- 205-2432P
- Producentens varenummer:
- NTTFS1D8N02P1E
- Brand:
- onsemi
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
- RS-varenummer:
- 205-2432P
- Producentens varenummer:
- NTTFS1D8N02P1E
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 150A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 25V | |
| Serie | Power | |
| Emballagetype | PQFN | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.3mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 4nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 46W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 16V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 3.2mm | |
| Højde | 700μm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Længde | 3.2mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 150A | ||
Drain source spænding maks. Vds 25V | ||
Serie Power | ||
Emballagetype PQFN | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.3mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 4nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 46W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 16V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 3.2mm | ||
Højde 700μm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Længde 3.2mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
ON Semiconductor Power33 seriens 25 V N-kanal MOSFET er fremstillet ved hjælp af Advanced Process, der indeholder skærmet gate-teknologi. Denne proces er blevet optimeret til at minimere modstand i ledetilstand og alligevel bevare uovertruffen switching-ydelse med en best-in-class blød husdiode
Maksimal mærkestrøm for dræn er 150 A.
Modstanden mellem afløbet og kilden er 1,3 Mohm
Kompakt design med lille bundareal
Lav RDS(on) for at minimere ledningstab
Lav QG og kapacitans for at minimere tab af driver
100 % UIL-testet
Pakken har effekt 33 (PQFN8)