onsemi Type N-Kanal, MOSFET og Diode, 13 A 800 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, SUPERFET III Nej NTD360N80S3Z

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 87,97

(ekskl. moms)

Kr. 109,96

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 2.500 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 +Kr. 17,594Kr. 87,97

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
205-2498
Producentens varenummer:
NTD360N80S3Z
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Produkttype

MOSFET og Diode

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

13A

Drain source spænding maks. Vds

800V

Emballagetype

TO-252

Serie

SUPERFET III

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

360mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

25.3nC

Effektafsættelse maks. Pd

96W

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

9.35mm

Højde

2.39mm

Bredde

5.55 mm

Bilindustristandarder

Nej

ON Semiconductor SUPERFET III serien N-kanal 800 V MOSFET er optimeret til primær kontakt af flueback konverter, muliggør lavere skiftetab og sagstemperatur uden at gå på kompromis med EMI-ydelse takket være det optimerede design. Desuden forbedrer den interne zener-diode ESD betydeligt. Denne nye serie muliggør mere effektive, kompakte, køligere og mere robuste anvendelser på grund af dens bemærkelsesværdige ydeevne inden for switching-strømanvendelser som f.eks. adapter til bærbar computer, lyd, belysning, ATX-strøm og industrielle strømforsyninger.

Konstant strømstyrke for dræn er 13 A.

Dræn til kilde på modstand er 360 Mohm

Ultralav gate-opladning

Lav lagret energi i udgangskapacitet

100 % avalanche-testet

Pakketypen er D-PAK

Relaterede links