DiodesZetex 2 Type N, Type P-Kanal Dobbelt, MOSFET, 800 mA 30 V Forbedring, 6 Ben, US, DMC3401 AEC-Q200, AEC-Q104,
- RS-varenummer:
- 206-0062
- Producentens varenummer:
- DMC3401LDW-7
- Brand:
- DiodesZetex
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 1.965,00
(ekskl. moms)
Kr. 2.457,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 11. marts 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 - 6000 | Kr. 0,655 | Kr. 1.965,00 |
| 9000 - 21000 | Kr. 0,638 | Kr. 1.914,00 |
| 24000 - 42000 | Kr. 0,622 | Kr. 1.866,00 |
| 45000 + | Kr. 0,606 | Kr. 1.818,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 206-0062
- Producentens varenummer:
- DMC3401LDW-7
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N, Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 800mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | US | |
| Serie | DMC3401 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 700mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.7V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 0.4W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 0.5nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Højde | 0.95mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 2.15mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q200, AEC-Q104, AEC-Q100, AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N, Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 800mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype US | ||
Serie DMC3401 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 700mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.7V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 0.4W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 0.5nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Højde 0.95mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 2.15mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q200, AEC-Q104, AEC-Q100, AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
DiodesZetex 30 V komplementær par-forstærkningstilstanden MOSFET er designet til at minimere modstand i tilstanden og samtidig opretholde en overlegen skifteevne, hvilket gør den ideel til højeffektiv strømstyringsanvendelse. Dens gate-source-spænding er 20 V med 0,29 W termisk effekttab.
Lav indgangskapacitet
Hurtig koblingshastighed
Relaterede links
- DiodesZetex 2 Type N MOSFET 6 Ben DMC3401 AEC-Q200
- DiodesZetex 1 Type P-Kanal Dobbelt 550 mA 30 V Forbedring US, DMP31 AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Type P-Kanal Dobbelt 6 Ben, US
- DiodesZetex Type N-Kanal Dobbelt 217 mA 60 V Forbedring US AEC-Q100, AEC-Q200
- DiodesZetex Type N-Kanal Dobbelt 261 mA 60 V Forbedring US AEC-Q101, AEC-Q100
- DiodesZetex Type N-Kanal Dobbelt 800 mA 30 V Forbedring US AEC-Q200, AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal Dobbelt 261 mA 60 V Forbedring US AEC-Q101, AEC-Q100
- DiodesZetex Type N-Kanal Dobbelt 250 mA 30 V Forbedring US, DMN AEC-Q101