DiodesZetex 2 Type N, Type P-Kanal Dobbelt, MOSFET, 800 mA 30 V Forbedring, 6 Ben, US, DMC3401 AEC-Q200, AEC-Q104,
- RS-varenummer:
- 206-0062
- Producentens varenummer:
- DMC3401LDW-7
- Brand:
- DiodesZetex
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (3000 enheder, på en rulle med 3000)*
Kr. 1.572,00
(ekskl. moms)
Kr. 1.965,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 28. maj 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 - 6000 | Kr. 0,524 | Kr. 1.572,00 |
| 9000 - 21000 | Kr. 0,511 | Kr. 1.533,00 |
| 24000 - 42000 | Kr. 0,497 | Kr. 1.491,00 |
| 45000 + | Kr. 0,485 | Kr. 1.455,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 206-0062
- Producentens varenummer:
- DMC3401LDW-7
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N, Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 800mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Serie | DMC3401 | |
| Emballagetype | US | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 700mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 0.5nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 0.4W | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.7V | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 2.15mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 1.3mm | |
| Højde | 0.95mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q200, AEC-Q104, AEC-Q100, AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N, Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 800mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Serie DMC3401 | ||
Emballagetype US | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 700mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 0.5nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 0.4W | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.7V | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 2.15mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 1.3mm | ||
Højde 0.95mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q200, AEC-Q104, AEC-Q100, AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
DiodesZetex 30 V komplementær par-forstærkningstilstanden MOSFET er designet til at minimere modstand i tilstanden og samtidig opretholde en overlegen skifteevne, hvilket gør den ideel til højeffektiv strømstyringsanvendelse. Dens gate-source-spænding er 20 V med 0,29 W termisk effekttab.
Lav indgangskapacitet
Hurtig koblingshastighed
Relaterede links
- DiodesZetex 2 Type N MOSFET 6 Ben DMC3401 AEC-Q200
- DiodesZetex 1 Type P-Kanal Dobbelt 550 mA 30 V Forbedring US, DMP31 AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Type P-Kanal Dobbelt 550 mA 30 V Forbedring US
- DiodesZetex Type P-Kanal 75 mA 450 V Forbedring SOT-223 AEC-Q104 AEC-Q200, AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 230 mA 100 V Forbedring E-Line AEC-Q101 AEC-Q100, AEC-Q200
- DiodesZetex Type P-Kanal 450 mA 60 V Forbedring SOT-223 AEC-Q100 AEC-Q104, AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 10.4 A 60 V Forbedring TO-252 AEC-Q104
- DiodesZetex Type P-Kanal 4.3 A 60 V Forbedring SOT-223 AEC-Q101