STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 36 A 600 V Forbedring, 8 Ben, TO-LL, STP50N60DM6
- RS-varenummer:
- 206-8634P
- Producentens varenummer:
- STP50N60DM6
- Brand:
- STMicroelectronics
Få rabat ved storkøb
Tilføj 100 flere for at gemme Kr. 445,00
Se mængderabatterIndhold 20 enheder (leveres i et rør)*
Kr. 834,00
(ekskl. moms)
Kr. 1.042,40
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 09. marts 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Besparelse |
|---|---|---|
| 20 - 98 | Kr. 41,70 | - |
| 100 - 198 | Kr. 37,25 | Kr. 445,00 |
| 200 + | Kr. 32,015 | Kr. 1.937,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 206-8634P
- Producentens varenummer:
- STP50N60DM6
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 36A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Serie | STP50N60DM6 | |
| Emballagetype | TO-LL | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 80mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 55nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 250W | |
| Portkildespænding maks. | 25V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.6V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 4.4mm | |
| Bredde | 10mm | |
| Længde | 28.9mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 36A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Serie STP50N60DM6 | ||
Emballagetype TO-LL | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 80mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 55nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 250W | ||
Portkildespænding maks. 25V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.6V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 4.4mm | ||
Bredde 10mm | ||
Længde 28.9mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
STMicroelectronics N-kanal Power MOSFET med høj spænding er en del af MDmesh DM6 serien af hurtige gendannelsesdioder. Sammenlignet med den tidligere hurtige MDmesh-generation kombinerer DM6 meget lav gendannelseshastighed (Qrr), restitutionstid (trr) og fremragende forbedring af RDS(on) pr. område med en af de mest effektive skifteegenskaber på markedet for de mest krævende højeffektive bridge-topologier og ZVS-faseskift-konvertere.
Diode til hurtigt genvindingshus
Sænk RDS(on) pr. område i forhold til forrige generation
Lav gate-opladning, indgangskapacitet og modstand
100 % avalanche-testet
Ekstremt høj dv/dt robusthed
Zener-beskyttet