Toshiba N-Kanal, MOSFET, 30 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, TK090N65Z
- RS-varenummer:
- 206-9726
- Producentens varenummer:
- TK090N65Z,S1F(S
- Brand:
- Toshiba
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 129,55
(ekskl. moms)
Kr. 161,94
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 152 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | Kr. 64,775 | Kr. 129,55 |
| 10 - 28 | Kr. 50,415 | Kr. 100,83 |
| 30 + | Kr. 45,33 | Kr. 90,66 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 206-9726
- Producentens varenummer:
- TK090N65Z,S1F(S
- Brand:
- Toshiba
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Toshiba | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 30A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | TK090N65Z | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 90mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.7V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 47nC | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 230W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 15.94mm | |
| Længde | 40.02mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 5.02mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Toshiba | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 30A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie TK090N65Z | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 90mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.7V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 47nC | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 230W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 15.94mm | ||
Længde 40.02mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 5.02mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Toshiba silikone N-kanal MOSFET har højhastigheds switching-egenskaber med lavere kapacitet. Den bruges primært i switch-mode strømforsyninger.
Lav drænkilde ON - modstand 0,075?
Opbevaringstemperatur -55 til 150 °C.
Relaterede links
- Toshiba N-Kanal 30 A 650 V Forbedring TO-247, TK090N65Z
- Toshiba N-Kanal 30 A 250 V Forbedring TO-3PN
- Toshiba N-Kanal 62 A 600 V Forbedring TO-247, TK
- Toshiba N-Kanal 20 A 600 V Forbedring TO-247, TK
- Toshiba N-Kanal 20 A 600 V Forbedring TO-247, DTMOSIV
- Toshiba N-Kanal 39 A 600 V Forbedring TO-247, TK
- ROHM N-Kanal 30 A 650 V Forbedring TO-247
- ROHM N-Kanal 70 A 650 V Forbedring TO-247