Texas Instruments N-Kanal, MOSFET, 12 A 60 V Forbedring, 8 Ben, VSONP, NexFET
- RS-varenummer:
- 208-8482P
- Producentens varenummer:
- CSD18543Q3A
- Brand:
- Texas Instruments
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 50 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 270,50
(ekskl. moms)
Kr. 338,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 50 enhed(er) afsendes fra 05. oktober 2026
- Plus 2.500 enhed(er) afsendes fra 15. april 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 50 - 75 | Kr. 5,41 |
| 100 - 225 | Kr. 4,009 |
| 250 - 975 | Kr. 3,866 |
| 1000 + | Kr. 2,938 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 208-8482P
- Producentens varenummer:
- CSD18543Q3A
- Brand:
- Texas Instruments
Egenskaber
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Texas Instruments | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 12A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | VSONP | |
| Serie | NexFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.2mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 11.1nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 66W | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 3.1mm | |
| Længde | 3.25mm | |
| Højde | 900μm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Texas Instruments | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 12A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype VSONP | ||
Serie NexFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.2mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 11.1nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 66W | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 3.1mm | ||
Længde 3.25mm | ||
Højde 900μm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
-
-