STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 8 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, STD11N60M6
- RS-varenummer:
- 212-2105P
- Producentens varenummer:
- STD11N60M6
- Brand:
- STMicroelectronics
Indhold 10 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 134,16
(ekskl. moms)
Kr. 167,70
(inkl. moms)
Tilføj 40 enheder for at opnå gratis levering
Restlager hos RS
- Sidste 950 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 10 + | Kr. 13,416 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 212-2105P
- Producentens varenummer:
- STD11N60M6
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 8A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | STD11N60M6 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 500mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.6V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 90W | |
| Portkildespænding maks. | 25 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 10.3nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 2.4mm | |
| Bredde | 6.2 mm | |
| Længde | 6.6mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 8A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie STD11N60M6 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 500mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.6V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 90W | ||
Portkildespænding maks. 25 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 10.3nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 2.4mm | ||
Bredde 6.2 mm | ||
Længde 6.6mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
MDMDMESH M6 MOSFET N-CH
STMicroelectronics MDmesh M6-teknologi inkorporerer de seneste fremskridt i den velkendte og konsoliderede MDmesh-serie af SJ MOSFET'er. Den bygger videre på den tidligere generation af MDmesh-enheder via den nye M6-teknologi, som kombinerer fremragende RDS(on) pr. områdeforbedring med en af de mest effektive skifteegenskaber, der findes, samt en brugervenlig oplevelse, der giver maksimal effektivitet i slutanvendelsen.
Reduceret skiftetab
Sænk RDS(on) pr. område i forhold til forrige generation
Lav indgangsmodstand for gate
100 % avalanche-testet
Zener-beskyttet