DiodesZetex N-Kanal, MOSFET, 3.1 A 20 V Forbedring, 3 Ben, SOT-323, DMN2055UWQ AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 213-9167P
- Producentens varenummer:
- DMN2055UWQ-7
- Brand:
- DiodesZetex
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 200 enheder (leveres på en rulle)*
Kr. 146,80
(ekskl. moms)
Kr. 183,60
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 300 enhed(er) afsendes fra 26. oktober 2026
- Plus 3.000 enhed(er) afsendes fra 10. februar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 200 - 200 | Kr. 0,734 |
| 300 - 400 | Kr. 0,72 |
| 500 - 900 | Kr. 0,665 |
| 1000 + | Kr. 0,60 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 213-9167P
- Producentens varenummer:
- DMN2055UWQ-7
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 3.1A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Emballagetype | SOT-323 | |
| Serie | DMN2055UWQ | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 460mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 4.3nC | |
| Portkildespænding maks. | 8V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 0.65W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 1.3mm | |
| Højde | 1mm | |
| Længde | 2.15mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 3.1A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Emballagetype SOT-323 | ||
Serie DMN2055UWQ | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 460mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 4.3nC | ||
Portkildespænding maks. 8V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 0.65W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 1.3mm | ||
Højde 1mm | ||
Længde 2.15mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
DiodesZetex DPN2055UWQ serien er N-kanal MOSFET. Den anvendes i allround interface-switch, strømstyringsfunktioner og analog switch.
Lav indgangskapacitet
Hurtig koblingshastighed
Meget lav gate-tærskelspænding