Infineon N-Kanal, MOSFET, 88 A 100 V, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- RS-varenummer:
- 214-4459P
- Producentens varenummer:
- IRFS4410TRLPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 25 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 452,40
(ekskl. moms)
Kr. 565,50
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 3.560 enhed(er) afsendes fra 02. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 25 - 45 | Kr. 18,096 |
| 50 - 120 | Kr. 16,89 |
| 125 - 245 | Kr. 15,682 |
| 250 + | Kr. 14,678 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-4459P
- Producentens varenummer:
- IRFS4410TRLPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 88A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 10mΩ | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 180nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 200W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 88A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 10mΩ | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 180nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 200W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Denne Infineon HEXFET Power MOSFET har forbedret gate, Avalanche og dynamisk dv/dt robusthed. Den er velegnet til højeffektiv synkron ensretning i SMPS.
Den er halogenfri i henhold til IEC61249-2-21