Infineon N-Kanal, MOSFET, 13 A 34 V Forbedring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS

Få rabat ved storkøb

Tilføj 250 flere for at gemme 5%

Se mængderabatter

Indhold 100 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*

Kr. 248,90

(ekskl. moms)

Kr. 311,10

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 16. december 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Besparelse
100 - 200Kr. 2,489-
250 - 450Kr. 2,3445%
500 - 1200Kr. 2,16213%
1250 +Kr. 2,01419%

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
214-8979P
Producentens varenummer:
BSC0996NSATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

13A

Drain source spænding maks. Vds

34V

Emballagetype

TDSON

Serie

OptiMOS

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

9mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

7.2nC

Effektafsættelse maks. Pd

2.5W

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20V

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

5.49mm

Bredde

6.35mm

Højde

1.1mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Infineon-serien af OptiMOS-produkter fås i højtydende pakker til at håndtere de mest udfordrende anvendelser, hvilket giver fuld fleksibilitet på begrænset plads. Disse Infineon-produkter er konstrueret til at opfylde og overstige kravene til energieffektivitet og effekttæthed i de skærpede næste-generations standarder for spændingsregulering i computere.

Den leveres med forbedret skifteadfærd

100 % lavine-testet

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.