Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 13 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS C7
- RS-varenummer:
- 214-9117
- Producentens varenummer:
- IPW60R180C7XKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 56,62
(ekskl. moms)
Kr. 70,775
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 190 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | Kr. 11,324 | Kr. 56,62 |
| 25 - 45 | Kr. 11,026 | Kr. 55,13 |
| 50 - 120 | Kr. 10,712 | Kr. 53,56 |
| 125 - 245 | Kr. 10,442 | Kr. 52,21 |
| 250 + | Kr. 10,202 | Kr. 51,01 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-9117
- Producentens varenummer:
- IPW60R180C7XKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 13A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Serie | CoolMOS C7 | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 180mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.9V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 68W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 24nC | |
| Længde | 16.13mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 21.1mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 13A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Serie CoolMOS C7 | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 180mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.9V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 68W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 24nC | ||
Længde 16.13mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 21.1mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon CoolMOS C7 er en revolutionerende teknologi til højspændings effekt MOSFET'er, der er designet i henhold til superjunction-princippet (SJ) og udviklet af Infineon Technologies. 600V CoolMOS C7 serien kombinerer oplevelsen fra den førende SJ MOSFET-leverandør med innovation i høj klasse. Disse er velegnede til hårde og bløde kontaktfunktioner. Velegnet til anvendelser som f.eks. server, telekommunikation og solenergi.
Velegnet til hårde og bløde skift
Kvalificeret til industrielle anvendelser i henhold til JEDEC
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 13 A 600 V Forbedring TO-247, CoolMOS C7
- Infineon Type N-Kanal 13 A 700 V Forbedring TO-247, CoolMOS C7
- Infineon Type N-Kanal 35 A 600 V Forbedring TO-247, CoolMOS C7
- Infineon Type N-Kanal 50 A 600 V Forbedring TO-247, CoolMOS C7
- Infineon Type N-Kanal 40 A 600 V Forbedring TO-247, CoolMOS C7
- Infineon Type N-Kanal 37 A 600 V Forbedring TO-247, CoolMOS C7
- Infineon Type N-Kanal 13 A 600 V Forbedring TO-220, CoolMOS C7
- Infineon Type N-Kanal 13 A 600 V Forbedring TO-263, 600V CoolMOS C7