Infineon N-Kanal, MOSFET, 47 A 60 V Forbedring, 8 Ben, SuperSO, OptiMOS
- RS-varenummer:
- 215-2465
- Producentens varenummer:
- BSC094N06LS5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 20 enheder)*
Kr. 105,68
(ekskl. moms)
Kr. 132,10
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 11.360 enhed(er) afsendes fra 21. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | Kr. 5,284 | Kr. 105,68 |
| 100 - 180 | Kr. 5,02 | Kr. 100,40 |
| 200 - 480 | Kr. 4,809 | Kr. 96,18 |
| 500 - 980 | Kr. 4,597 | Kr. 91,94 |
| 1000 + | Kr. 4,286 | Kr. 85,72 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 215-2465
- Producentens varenummer:
- BSC094N06LS5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 47A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Emballagetype | SuperSO | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 13.4mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 9.4nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 36W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 47A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie OptiMOS | ||
Emballagetype SuperSO | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 13.4mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 9.4nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 36W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineons OptiMOS™ 5 effekt MOSFET'er logikniveau er særdeles velegnede til trådløs opladning, adapter og telekommunikation. Enhedernes lave gate-opladning (Q g) reducerer skiftetab uden at gå på kompromis med ledningstab. De forbedrede tal for fortjeneste gør det muligt at arbejde ved høje skiftefrekvenser. Desuden leverer logikniveaudrevet en lav gate-tærskelspænding (V GS(The)), der gør det muligt at drive MOSFET'erne ved 5 V og direkte fra mikrokontrollere.
Lav R DS (til) i lille hus
Lav portopladning
Lavere udgangsladning
Kompatibilitet med logikniveau