Infineon N-Kanal, MOSFET, 8.5 A 700 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, 700V CoolMOS P7

RS-varenummer:: 215-2509P
Producentens varenummer:: IPD70R600P7SAUMA1
Brand:: Infineon

Infineon N-Kanal, MOSFET, 8.5 A 700 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, 700V CoolMOS P7

Indhold 25 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*

Kr. 123,43

(ekskl. moms)

Kr. 154,28

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

På lager

Plus 950 enhed(er) afsendes fra 05. november 2026

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.
25 +	Kr. 4,937

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 215-2509P
Producentens varenummer:: IPD70R600P7SAUMA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Produkttype	MOSFET
	Kanaltype	N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	8.5A
	Drain source spænding maks. Vds	700V
	Emballagetype	TO-252
	Serie	700V CoolMOS P7
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	600mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	10.5nC
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Effektafsættelse maks. Pd	10.5W
	Gennemgangsspænding Vf	900mV
	Portkildespænding maks.	20V
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Standarder/godkendelser	No
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Produkttype MOSFET
	Kanaltype N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 8.5A
	Drain source spænding maks. Vds 700V
	Emballagetype TO-252
	Serie 700V CoolMOS P7
	Monteringstype Overflade
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 600mΩ
	Kanalform Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 10.5nC
	Min. driftstemperatur -55°C
	Effektafsættelse maks. Pd 10.5W
	Gennemgangsspænding Vf 900mV
	Portkildespænding maks. 20V
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Standarder/godkendelser No
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet - IPD70R600P7SAUMA1

Infineon 700 V CoolMOS P7 seriens MOSFET, 700 V drain source-spænding, 8,5 A kontinuerlig drain-strøm - IPD70R600P7SAUMA1

Denne MOSFET er en højspændings, N-kanals koblingstransistor, der er designet til overflademonterede strømforsyningsanvendelser. Den fungerer i forstærkning og er beregnet til kredsløb, der kræver høj drain-source-spændingskapacitet, samtidig med at den giver moderat ledningsevne og termisk håndtering til kompakte SMD-layouts.

Egenskaber og fordele:

• 700 V drain-source-klassificering muliggør højspændingskoblingsopgaver
• 8.5 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter vedvarende belastning
• 600 mΩ Rds(on) begrænser ledningstab i konstruktioner med medium effekt
• 10,5 W maks. effekttab muliggør pålidelig termisk margen
• 10,5 nC typisk gate-opladning giver hurtigere gate-overgange
• ±20 V gate-tolerance tillader standard gate-drivspændinger

Anvendelser

• Velegnet til højspændings-switch-mode-strømforsyninger
• Ideel til strømkonverteringsfaser på primærsiden
• Anvendes med resonans- og hard-switched topologier
• Kan bruges til industrielle belysningsforkoblinger
• Anvendes i kompakte SMD-strømmoduler

Hvilket temperaturområde kan den modstå i drift?

Den er specificeret til drift fra -55 °C op til 150 °C, hvilket dækker brede termiske miljøer.

Hvor mange elektriske forbindelser har den til printkortlayout?

Enheden har tre ben i en TO-252-pakke til overflademontering, der kræver et konventionelt SMD-design.

Hvilken ledningsegenskab bestemmer spændingsfaldet under tændt tilstand?

On‐tilstandsmodstanden på 600 mΩ definerer spændingsfaldet ved en given drenstrøm og påvirker ledningstab.

Hvordan påvirker gate-drevet switching-ydeevnen?

Den typiske gate-ladning på 10,5 nC ved Vgs-forhold påvirker den krævede drivstrøm og koblingshastighed for en given gate-driver.