Infineon N-Kanal, MOSFET, 6 A 800 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, 800V CoolMOS P7

RS-varenummer:: 215-2517
Producentens varenummer:: IPD80R900P7ATMA1
Brand:: Infineon

Infineon N-Kanal, MOSFET, 6 A 800 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, 800V CoolMOS P7

Indhold (2500 enheder, på en rulle med 2500)*

Kr. 7.772,50

(ekskl. moms)

Kr. 9.715,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

På lager

2.500 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
2500 +	Kr. 3,109	Kr. 7.772,50

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 215-2517
Producentens varenummer:: IPD80R900P7ATMA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Produkttype	MOSFET
	Kanaltype	N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	6A
	Drain source spænding maks. Vds	800V
	Emballagetype	TO-252
	Serie	800V CoolMOS P7
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	900mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Portkildespænding maks.	20V
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Effektafsættelse maks. Pd	45W
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	15nC
	Gennemgangsspænding Vf	0.9V
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Standarder/godkendelser	No
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Produkttype MOSFET
	Kanaltype N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 6A
	Drain source spænding maks. Vds 800V
	Emballagetype TO-252
	Serie 800V CoolMOS P7
	Monteringstype Overflade
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 900mΩ
	Kanalform Forbedring
	Portkildespænding maks. 20V
	Min. driftstemperatur -55°C
	Effektafsættelse maks. Pd 45W
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 15nC
	Gennemgangsspænding Vf 0.9V
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Standarder/godkendelser No
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet - IPD80R900P7ATMA1

Infineon 800 V CoolMOS P7 seriens MOSFET, 800 V drain source-spænding, 6 A kontinuerlig drain-strøm - IPD80R900P7ATMA1

Denne MOSFET er en højspændingstransistor, der er designet til strømkonvertering og energieffektiv omskiftning i krævende miljøer. Den fungerer over et bredt temperaturområde og leveres i en pakke til overflademontering, der er velegnet til kompakte kortlayouter, hvilket gør den velegnet til industrielle og effektelektroniske anvendelser, hvor robust spændingshåndtering er påkrævet.

Egenskaber og fordele:

• 800 V drain-klassificering muliggør omskiftning af højspændingssystemer
• 6 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter moderate belastningsstrømme
• 900 mΩ lav modstand ved tænding reducerer ledningstab
• 15 nC typisk gate-opladning giver mulighed for hurtigere gate-drive-respons
• 45 W maks. effekttab håndterer betydelig termisk belastning
• Gate-source-tolerance op til 20 V passer til almindelige gate-drivspændinger

Anvendelser

• Ideel til strømforsyninger i højspændingsomformere
• Anvendes til omskiftning af strømforsyningsfaser i switch-mode
• Velegnet til industrielle inverterfrontender
• Kan bruges til højspændingskredsløb med motordrev
• Anvendes sammen med kompakte overflademonterede enheder på printkort

Hvilke ekstreme temperaturer kan den modstå i drift?

Den er specificeret til at fungere mellem -55 °C og 150 °C, hvilket dækker anvendelser med lav temperatur og høje forbindelser.

Hvordan monteres den på et printkort, og hvilket hus bruger den?

Den leveres i en TO-252-pakke, der er beregnet til overflademontering for at spare plads på kortet.

Hvilken ledningsadfærd skal jeg forvente under belastning?

Enheden udviser en modstand ved tænding på op til 900 mΩ, hvilket påvirker ledningstab og termisk design til kontinuerlige strømme op til 6 A.

Hvilke krav til gate-driver er nødvendige for sikker drift?

Den nominelle gate-source-spænding er ±20 V, og den typiske samlede gate-ladning er 15 nC, hvilket informerer din driverkapacitet og skifteenergibudget.