Infineon N-Kanal, MOSFET, 19 A 200 V, 7 ben, DirectFET isometrisk, HEXFET IRF6785MTRPBF

Infineon HEXFET Power MOSFET har en maksimal 200 V dræningskildespænding i et DirectFET MZ-hus med en mærkestrøm på 19 A optimeret med lav modstand. Denne digitale Audio MOSFET er specielt designet til Class-D lydforstærker. Denne MOSFET anvender de nyeste behandlingsteknikker til at opnå lav modstand pr. siliciumområde. Desuden er gate-opladning, reverse recovery-tilstand for husdioden og intern gate-modstand optimeret til at forbedre vigtige Class-D lydforstærkerydelsesfaktorer som effektivitet, THD og EMI. IRF6785MPbF-enheden anvender DirectFETTM-emballageteknologi. DirectFETTM-emballageteknologi giver lavere parasitisk selvinduktion og modstand sammenlignet med konventionel SOIC-emballage med kabel.

Den nyeste MOSFET Silicon-teknologi
Nøgleparametre, der er optimeret til Class-D audioforstærkerapplikationer
Dobbeltsidet køling kompatibel
Blyfri (kvalificeret op til 260 °C reflow)