Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 97 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-262, StrongIRFET
- RS-varenummer:
- 215-2603
- Producentens varenummer:
- IRFSL4410ZPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 110,48
(ekskl. moms)
Kr. 138,10
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 155 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | Kr. 22,096 | Kr. 110,48 |
| 25 - 45 | Kr. 19,896 | Kr. 99,48 |
| 50 - 120 | Kr. 18,566 | Kr. 92,83 |
| 125 - 245 | Kr. 17,234 | Kr. 86,17 |
| 250 + | Kr. 15,902 | Kr. 79,51 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 215-2603
- Producentens varenummer:
- IRFSL4410ZPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 97A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | TO-262 | |
| Serie | StrongIRFET | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 9mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 230W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 120nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 97A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype TO-262 | ||
Serie StrongIRFET | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 9mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 230W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 120nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon stærke IRFET™ power MOSFET-serie er optimeret til lav RDS(on) og høj strømkapacitet. Enhederne er ideelle til lavfrekvente anvendelser, der kræver ydeevne og robusthed. Den omfattende portefølje dækker en lang række anvendelser, herunder DC-motorer, batteristyringssystemer, invertere og DC-DC-konvertere. Den har anvendelser som f.eks. højeffektiv synkron ensretning i SMPS, nødstrømsforsyning, højhastigheds effektkobling, fast koblede og højfrekvente kredsløb.
Optimeret til den bredeste tilgængelighed fra distributionspartnere
Produktkvalifikation i henhold til JEDEC-standarden
Hus til hulmontering i industristandard
Høj mærkestrøm
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 97 A 100 V Forbedring TO-262, StrongIRFET
- Infineon Type N-Kanal 483 A 100 V Forbedring TO-247, StrongIRFET
- Infineon Type N-Kanal 360 A 40 V Forbedring TO-263, StrongIRFET
- Infineon Type N-Kanal 69 A 250 V Forbedring TO-247, StrongIRFET
- Infineon Type N-Kanal 100 A 300 V Forbedring TO-247, StrongIRFET
- Infineon Type N-Kanal 110 A 60 V Forbedring TO-220, StrongIRFET
- Infineon Type N-Kanal 172 A 60 V Forbedring TO-247, StrongIRFET
- Infineon Type N-Kanal 240 A 60 V Forbedring TO-263, StrongIRFET