ROHM 2 N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 80 A 30 V Forbedring, 8 Ben, HSOP, HP
- RS-varenummer:
- 215-9752P
- Producentens varenummer:
- HP8K24TB
- Brand:
- ROHM
Få rabat ved storkøb
Tilføj 100 flere for at gemme 24%
Se mængderabatterIndhold 50 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 351,95
(ekskl. moms)
Kr. 439,95
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 15. november 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Besparelse |
|---|---|---|
| 50 - 90 | Kr. 7,039 | - |
| 100 - 240 | Kr. 5,333 | 24% |
| 250 - 990 | Kr. 5,221 | 25% |
| 1000 + | Kr. 4,353 | 38% |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 215-9752P
- Producentens varenummer:
- HP8K24TB
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 80A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Serie | HP | |
| Emballagetype | HSOP | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 10nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 31W | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 6mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 5mm | |
| Højde | 1.1mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 80A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Serie HP | ||
Emballagetype HSOP | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 10nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 31W | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 6mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 5mm | ||
Højde 1.1mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
The Rohm power MOSFET having voltage rating of 30V. It has low on resistance. It is mainly used in switching and DC-DC converter.
Pb free
RoHS compliant