Taiwan Semiconductor N-Kanal, MOSFET, 121 A 40 V Forbedring, 8 Ben, PDFN56, TSM025
- RS-varenummer:
- 216-9654P
- Producentens varenummer:
- TSM033NB04LCR
- Brand:
- Taiwan Semiconductor
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 50 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 887,90
(ekskl. moms)
Kr. 1.109,90
(inkl. moms)
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 50 - 90 | Kr. 17,758 |
| 100 - 240 | Kr. 16,306 |
| 250 - 990 | Kr. 16,007 |
| 1000 + | Kr. 14,84 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 216-9654P
- Producentens varenummer:
- TSM033NB04LCR
- Brand:
- Taiwan Semiconductor
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Taiwan Semiconductor | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 121A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | PDFN56 | |
| Serie | TSM025 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3.3mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 36W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 40nC | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 3.81mm | |
| Standarder/godkendelser | WEEE 2002/96/EC, RoHS 2011/65/EU, IEC 61249-2-21 | |
| Længde | 6mm | |
| Højde | 1.05mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Taiwan Semiconductor | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 121A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype PDFN56 | ||
Serie TSM025 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3.3mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 36W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 40nC | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 3.81mm | ||
Standarder/godkendelser WEEE 2002/96/EC, RoHS 2011/65/EU, IEC 61249-2-21 | ||
Længde 6mm | ||
Højde 1.05mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Taiwan Semiconductor enkelt N-kanal effekt MOSFET-transistorer, står for 'metal Oxide Semiconductor Field-Effect-transistorer'. MOSFET'er er transistorenheder, der styres af en kondensator. "Felteffekt" betyder, at de styres af spænding. Formålet med en MOSFET er at styre strømmen, der passerer gennem kilden til drænterminalerne.
Lav RDS(ON) for at minimere ledende tab Lav gate-opladning for hurtig omskiftning 100 % UIS- og RG-testet