Taiwan Semiconductor Type N-Kanal, MOSFET, 44 A 60 V Forbedring, 8 Ben, PDFN56, TSM025

Se alle MOSFET

Indhold 25 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*

Kr. 127,875

(ekskl. moms)

Kr. 159,85

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Udgår
  • Sidste 1.625 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
25 +Kr. 5,115

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
216-9700P
Producentens varenummer:
TSM170N06PQ56
Brand:
Taiwan Semiconductor
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Taiwan Semiconductor

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

44A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

PDFN56

Serie

TSM025

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

17mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

29nC

Effektafsættelse maks. Pd

73.5W

Gennemgangsspænding Vf

1V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

IEC, RoHS, WEEE

Højde

1.1mm

Længde

6.1mm

Bilindustristandarder

Nej

Taiwan Semiconductor enkelt N-kanal effekt MOSFET-transistorer, står for 'metal Oxide Semiconductor Field-Effect-transistorer'. MOSFET'er er transistorenheder, der styres af en kondensator. "Felteffekt" betyder, at de styres af spænding. Formålet med en MOSFET er at styre strømmen, der passerer gennem kilden til drænterminalerne.

Lav RDS(ON) for at minimere ledende tab Lav gate-opladning for hurtig omskiftning 100 % UIS- og RG-testet

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.