Infineon N-Kanal, MOSFET, 2 A 800 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 217-2532P
- Producentens varenummer:
- IPD80R2K7C3AATMA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (20 enheder, leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 154,92
(ekskl. moms)
Kr. 193,64
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
- 2.120 enhed(er) afsendes fra 28. september 2026
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 20 + | Kr. 7,746 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 217-2532P
- Producentens varenummer:
- IPD80R2K7C3AATMA1
- Brand:
- Infineon
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 2A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 800V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | IPD | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2.7Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 42W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 12nC | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 6.73mm | |
| Højde | 2.41mm | |
| Bredde | 6.22mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 2A | ||
Drain source spænding maks. Vds 800V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie IPD | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2.7Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 42W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 12nC | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 6.73mm | ||
Højde 2.41mm | ||
Bredde 6.22mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
