Infineon N-Kanal, MOSFET, 137 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, IPP
- RS-varenummer:
- 217-2555P
- Producentens varenummer:
- IPP045N10N3GXKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 20 enheder (leveres i et rør)*
Kr. 260,30
(ekskl. moms)
Kr. 325,38
(inkl. moms)
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 20 - 40 | Kr. 13,015 |
| 50 - 90 | Kr. 12,462 |
| 100 - 240 | Kr. 11,901 |
| 250 + | Kr. 11,085 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 217-2555P
- Producentens varenummer:
- IPP045N10N3GXKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 137A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Serie | IPP | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 4.5mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 88nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 214W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 4.57mm | |
| Højde | 29.95mm | |
| Længde | 10.36mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 137A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Serie IPP | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 4.5mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 88nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 214W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 4.57mm | ||
Højde 29.95mm | ||
Længde 10.36mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineons 100 V OptiMOS™ power MOSFET'er tilbyder fremragende løsninger til højeffektiv SMPS med høj effekttæthed. Sammenlignet med den næstbedste teknologi opnår denne familie en reduktion på 30 % i både R DS (on) og FOM (figure of Merit).
Fremragende skifteevne verdens laveste R DS (til)
Meget lav Q g og Q gd
Fremragende gate-opladning x R DS(til) produkt (FOM)
Overholder RoHS - halogenfri
MSL1-normeret 2