Infineon 2 N-Kanal Dobbelt, Effekttransistor, 20 A 100 V Forbedring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 218-3060P
- Producentens varenummer:
- IPG20N10S436AATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 50 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 445,05
(ekskl. moms)
Kr. 556,30
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 4.680 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 50 - 90 | Kr. 8,901 |
| 100 - 240 | Kr. 8,527 |
| 250 - 490 | Kr. 8,161 |
| 500 + | Kr. 7,592 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 218-3060P
- Producentens varenummer:
- IPG20N10S436AATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | Effekttransistor | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 20A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | TDSON | |
| Serie | OptiMOS-T2 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 36mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 9.4nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 43W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 1mm | |
| Længde | 5.15mm | |
| Bredde | 5.9mm | |
| Standarder/godkendelser | AEC Q101, RoHS | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype Effekttransistor | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 20A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype TDSON | ||
Serie OptiMOS-T2 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 36mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 9.4nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 43W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 1mm | ||
Længde 5.15mm | ||
Bredde 5.9mm | ||
Standarder/godkendelser AEC Q101, RoHS | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS™-T2 seriens dobbelt N-kanal MOSFET til brug i biler. Det er muligt at udføre automatisk optisk inspektion (AOI).
Dobbelt N-kanal - forbedringstilstand
100 % lavine-testet
175 °C driftstemperatur