Infineon N-Kanal, MOSFET, 23 A 30 V, 3 Ben, TO-252, HEXFET

Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om denne vare kommer på lager igen – den er ved at blive udfaset af producenten
Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
218-3128
Producentens varenummer:
IRLR2703TRPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

23A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Emballagetype

TO-252

Serie

HEXFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

65mΩ

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

162nC

Effektafsættelse maks. Pd

341W

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20V

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

No

Bredde

5.31mm

Højde

20.7mm

Længde

15.87mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon HEXFET-seriens N-kanal MOSFET. Den anvender Advanced Processing-teknikker til at opnå den lavest mulige modstand pr. siliciumområde. Denne MOSFET er designet til overflademontering ved hjælp af dampfase, infrarød eller bølgelodningsteknikker.

Ekstremt lav modstand ved tændt

Hurtigt skift

Fuldt Avalanche-klassificeret

Blyfri

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.