Infineon N-Kanal, MOSFET, 1.5 A 800 V Forbedring, 3 Ben, SOT-223, CoolMOS P7

RS-varenummer:: 219-5996
Producentens varenummer:: IPN80R4K5P7ATMA1
Brand:: Infineon

Infineon N-Kanal, MOSFET, 1.5 A 800 V Forbedring, 3 Ben, SOT-223, CoolMOS P7

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 3.834,00

(ekskl. moms)

Kr. 4.794,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

På lager

3.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
3000 +	Kr. 1,278	Kr. 3.834,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 219-5996
Producentens varenummer:: IPN80R4K5P7ATMA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Produkttype	MOSFET
	Kanaltype	N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	1.5A
	Drain source spænding maks. Vds	800V
	Emballagetype	SOT-223
	Serie	CoolMOS P7
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	450mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Effektafsættelse maks. Pd	6W
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	4nC
	Portkildespænding maks.	20V
	Gennemgangsspænding Vf	900mV
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Bredde	3.7mm
	Standarder/godkendelser	No
	Længde	6.7mm
	Højde	1.8mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Produkttype MOSFET
	Kanaltype N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 1.5A
	Drain source spænding maks. Vds 800V
	Emballagetype SOT-223
	Serie CoolMOS P7
	Monteringstype Overflade
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 450mΩ
	Kanalform Forbedring
	Effektafsættelse maks. Pd 6W
	Min. driftstemperatur -55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 4nC
	Portkildespænding maks. 20V
	Gennemgangsspænding Vf 900mV
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Bredde 3.7mm
	Standarder/godkendelser No
	Længde 6.7mm
	Højde 1.8mm
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet - IPN80R4K5P7ATMA1

Infineon CoolMOS P7 seriens MOSFET, 800 V maksimal drain source-spænding, 1,5 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - IPN80R4K5P7ATMA1

Denne MOSFET er en højspændingstransistor, der er designet til overflademonteret strømkonvertering og styringsopgaver. Den fungerer pålideligt over et bredt omgivende område og er beregnet til brug, hvor der kræves robust spændingsblokering og moderat kontinuerlig strømkapacitet.

Egenskaber og fordele:

• 800 V drain-source-klassificering muliggør højspændingsanvendelser
• 450 mΩ RDS(on) begrænser ledningstab under omskiftning
• 4 nC typisk gate-ladning reducerer krav til drevenergi
• 1.5 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter stabiliseringsbelastninger
• 6 W maks. effekttab håndterer termisk belastning under drift
• ±20 V gate-tolerance tillader standard gate-drivspændinger

Anvendelser

• Velegnet til offline strømforsyninger, der håndterer høje spændinger
• Ideel til boost-konvertere i industrielle systemer
• Anvendes til switch-mode effekttrin med moderate strømme
• Kan bruges til halvledertestbeslag, der kræver 800 V
• Anvendes sammen med overflademonterede enheder på kompakte strømkort

Hvilke omgivelsestemperaturer kan den fungere i?

Den fungerer over et bredt temperaturområde fra -55 °C til 150 °C, hvilket giver egnethed til barske termiske miljøer.

Hvordan påvirker pakken den termiske ydeevne?

SOT-223-pakken til overflademontering giver et lille fodaftryk, samtidig med at den muliggør varmeafledning, der er kompatibel med en maksimal effektafledning på 6 W, når den er korrekt monteret.

Hvilke hensyn skal der tages til gate-driveren?

Enheden accepterer op til ±20 V mellem port og kilde og har typisk brug for drivenergi svarende til en samlet portladning på 4 nC til hurtig omskiftning.

Hvilken koblingstopologi nyder mest ud af dens egenskaber?

Højspændings-N-kanalforbedringsdrift gør den velegnet til topologier, der kræver 800 V blokering med moderat kontinuerlig strømhåndtering.