Infineon N-Kanal, MOSFET og Diode, 45 A 650 V Forbedring, 10 Ben, HDSOP, C7 GOLD
- RS-varenummer:
- 220-7420P
- Producentens varenummer:
- IPDD60R150G7XTMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (25 enheder, leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 636,55
(ekskl. moms)
Kr. 795,70
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 15. februar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 25 - 45 | Kr. 25,462 |
| 50 - 120 | Kr. 23,95 |
| 125 - 245 | Kr. 22,20 |
| 250 + | Kr. 20,436 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 220-7420P
- Producentens varenummer:
- IPDD60R150G7XTMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET og Diode | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 45A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | C7 GOLD | |
| Emballagetype | HDSOP | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 10 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 150mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.8V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 23nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 95W | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 21.11mm | |
| Længde | 6.6mm | |
| Bredde | 2.35mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET og Diode | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 45A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie C7 GOLD | ||
Emballagetype HDSOP | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 10 | ||
Drain source modstand maks. Rds 150mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.8V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 23nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 95W | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 21.11mm | ||
Længde 6.6mm | ||
Bredde 2.35mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon Technologies introducerer dobbelt DPAK (DDPAK), det første topkølede overflademonterede (SMD) hus til SMPS-anvendelser med høj effekt, f.eks. pc-strøm, solceller, server og telekommunikation. Fordelene ved den allerede eksisterende højspændingsteknologi 600 V Cool MOS G7 super junction (SJ) MOSFET er kombineret med det innovative koncept inden for køling på oversiden, hvilket giver en systemløsning til højstrøms hårde skiftende topologier som PFC og en højeffektiv løsning til LLC topologier.
Giver klassens bedste FOM RDS(on) x Eoss og RDS(on) x QG
Innovativt topsidekølekoncept
Indbygget 4. Bens Kelvin-kildekonfiguration og lav parasitisk kilde selvinduktion
TCOB-kapacitet på >> 2.000 cyklusser MSL1-kompatibel og total blyfri
Giver den højeste energieffektivitet
Termisk afkobling af kort og halvleder gør det muligt at overvinde termisk PCB-grænser
Reduceret parasitisk kildeinduktans forbedrer e-effektiviteten og brugervenligheden
Muliggør løsninger med højere effekttæthed
Overskridelse af de højeste kvalitetsstandarder