onsemi N-Kanal, MOSFET, 139 A 150 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, NTB5D0N
- RS-varenummer:
- 221-6694P
- Producentens varenummer:
- NTB5D0N15MC
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 50 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 1.772,00
(ekskl. moms)
Kr. 2.215,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 760 enhed(er) afsendes fra 05. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 50 - 95 | Kr. 35,44 |
| 100 + | Kr. 30,712 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 221-6694P
- Producentens varenummer:
- NTB5D0N15MC
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 139A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 150V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | NTB5D0N | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 5mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 75nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 214W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 15.88mm | |
| Længde | 10.67mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bredde | 4.83mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 139A | ||
Drain source spænding maks. Vds 150V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie NTB5D0N | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 5mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 75nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 214W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 15.88mm | ||
Længde 10.67mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bredde 4.83mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
on Semiconductor 150 V effekt MOSFET brugte 139 A drænstrøm, der bruges med en enkelt N-kanal. Den er fremstillet ved hjælp af en Advanced power rench-proces, der indeholder skærmet gate-teknologi. Den har branchens laveste Qrr- og blødeste husdiode for fremragende skift med lavt støjniveau.
Maks. RDS (til) 5,0 m ved VGS ved 10 V.
50 % lavere Qrr end andre MOSFET-leverandører
Sænker switching-støj/EMI
100 % UIL-testet