onsemi N-Kanal, MOSFET, 105 A 100 V Forbedring, 5 Ben, DFN, NTMFS005N
- RS-varenummer:
- 221-6719
- Producentens varenummer:
- NTMFS005N10MCLT1G
- Brand:
- onsemi
Manglende forsyning
På grund af en global forsyningsmangel ved vi ikke, hvornår dette er på lager igen.
- RS-varenummer:
- 221-6719
- Producentens varenummer:
- NTMFS005N10MCLT1G
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 105A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Serie | NTMFS005N | |
| Emballagetype | DFN | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 5 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 5.1mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 55nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 125W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 5.3mm | |
| Højde | 6.3mm | |
| Standarder/godkendelser | Beryllium Free, Pb-Free, RoHS | |
| Bredde | 1.1mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 105A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Serie NTMFS005N | ||
Emballagetype DFN | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 5 | ||
Drain source modstand maks. Rds 5.1mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 55nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 125W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 5.3mm | ||
Højde 6.3mm | ||
Standarder/godkendelser Beryllium Free, Pb-Free, RoHS | ||
Bredde 1.1mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
on Semiconductor industriel effekt MOSFET i et 5 x 6 mm fladt kabel-hus designet til kompakt og effektivt design og med høj termisk ydelse.
Lav RDS(on) for at minimere ledningstab
Lav QG og kapacitans for at minimere tab af driver