onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 93 A 120 V Forbedring, 5 Ben, DFN, NTMFS006N
- RS-varenummer:
- 221-6722
- Producentens varenummer:
- NTMFS006N12MCT1G
- Brand:
- onsemi
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
- RS-varenummer:
- 221-6722
- Producentens varenummer:
- NTMFS006N12MCT1G
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 93A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 120V | |
| Emballagetype | DFN | |
| Serie | NTMFS006N | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 5 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 6mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 104W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 42nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 5.3mm | |
| Bredde | 1.1 mm | |
| Højde | 6.3mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 93A | ||
Drain source spænding maks. Vds 120V | ||
Emballagetype DFN | ||
Serie NTMFS006N | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 5 | ||
Drain source modstand maks. Rds 6mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 104W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 42nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 5.3mm | ||
Bredde 1.1 mm | ||
Højde 6.3mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
on Semiconductor N-kanal MV MOSFET er fremstillet ved hjælp af Advanced power rench-proces, der indeholder Shielded Gate-teknologi. Denne proces er blevet optimeret til at minimere modstand i ledetilstand og alligevel bevare uovertruffen switching-ydelse med en best-in-class blød husdiode
Lav RDS(on) for at minimere ledningstab
Lav kapacitet for at minimere tab af driver
Relaterede links
- onsemi Type N-Kanal 93 A 120 V Forbedring DFN, NTMFS006N
- onsemi Type N-Kanal 200 A 40 V Forbedring DFN
- onsemi Type N-Kanal 313 A 40 V Forbedring DFN
- onsemi Type N-Kanal 337 A 30 V Forbedring DFN, NTMFS0D8N
- onsemi Type N-Kanal 105 A 100 V Forbedring DFN, NTMFS005N
- onsemi Type N-Kanal 433 A 30 V Forbedring DFN, NTMFS0D6N
- onsemi Type N-Kanal 116 A 100 V Forbedring DFN, NTMFS
- onsemi Type N-Kanal 170 A 30 V Forbedring DFN, NTMFS1D7N