onsemi N-Kanal, MOSFET, 464 A 30 V Forbedring, 5 Ben, DFN, NTMFS0D5N
- RS-varenummer:
- 221-6724
- Producentens varenummer:
- NTMFS0D5N03CT1G
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (5 enheder, i en pakke med 5)*
Kr. 73,90
(ekskl. moms)
Kr. 92,40
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 5 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 14,78 | Kr. 73,90 |
| 50 - 95 | Kr. 12,73 | Kr. 63,65 |
| 100 + | Kr. 11,04 | Kr. 55,20 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 221-6724
- Producentens varenummer:
- NTMFS0D5N03CT1G
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 464A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | DFN | |
| Serie | NTMFS0D5N | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 5 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.52mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 178nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 200W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 5.3mm | |
| Bredde | 1.1mm | |
| Højde | 6.3mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 464A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype DFN | ||
Serie NTMFS0D5N | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 5 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.52mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 178nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 200W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 5.3mm | ||
Bredde 1.1mm | ||
Højde 6.3mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
on Semiconductor 30 V effekt MOSFET brugte 464 A drænstrøm med en enkelt N-kanal. Den har fremragende termisk ledning og forbedrer systemets effektivitet.
Advanced-hus (5x6 mm)
Ultralav RDS(on) for at forbedre systemets effektivitet