ROHM 1 Type N, Type P-Kanal Dobbelt, MOSFET, 5 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SOP, SP8M3 AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 222-4380P
- Producentens varenummer:
- SP8M3HZGTB
- Brand:
- ROHM
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 50 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 443,95
(ekskl. moms)
Kr. 554,95
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 100 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 50 - 90 | Kr. 8,879 |
| 100 - 240 | Kr. 8,063 |
| 250 - 990 | Kr. 7,233 |
| 1000 + | Kr. 7,106 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 222-4380P
- Producentens varenummer:
- SP8M3HZGTB
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N, Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | SOP | |
| Serie | SP8M3 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 56mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 8.5nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Højde | 1.75mm | |
| Længde | 5mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 6mm | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N, Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype SOP | ||
Serie SP8M3 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 56mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 8.5nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Højde 1.75mm | ||
Længde 5mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 6mm | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
ROHM SP8M3HZG n MOSFET i bilkvalitet, som EC-Q101 er kvalificeret. NCH+PCH 30V MOSFET'er med ESD-beskyttelsesdiode er inkluderet i SOP8-pakken. Velegnet til switching-anvendelser.
Lav modstand ved tændt
Lille hus til overflademontering (SOP8)
Blyfri forgyldning; I overensstemmelse med RoHS
Halogenfri
Sn100 % belægning
AEC-Q101-kvalificeret