Infineon N-Kanal, MOSFET, 19 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS

Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (10 enheder, leveres i et rør)*

Kr. 324,65

(ekskl. moms)

Kr. 405,81

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 966 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
10 - 18Kr. 32,465
20 - 48Kr. 30,255
50 - 98Kr. 28,085
100 +Kr. 26,255

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
222-4702P
Producentens varenummer:
IPP60R120C7XKSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

19A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Emballagetype

TO-220

Serie

CoolMOS

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

120mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

34nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

92W

Portkildespænding maks.

20V

Gennemgangsspænding Vf

0.9V

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

10.36mm

Højde

4.57mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

15.95mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon MOSFET'er, også kendt som MOSFET-transistorer, står for 'metal Oxide Semiconductor Field-Effect transistorer'. MOSFET'er er transistorenheder, der styres af en kondensator. "Felteffekt" betyder, at de styres af spænding. Formålet med en MOSFET er at styre strømmen, der passerer gennem kilden til drænterminalerne.

Blyfri forgyldning; I overensstemmelse med RoHS

Fremragende termisk modstand 100 % lavalanche-testet

Halogenfri i henhold til IEC61249-2-23

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.