Infineon N-Kanal, MOSFET, 81 A 20 V Forbedring, 2 Ben, DirectFET, HEXFET
- RS-varenummer:
- 222-4739P
- Producentens varenummer:
- IRF6636TRPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (50 enheder, leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 542,65
(ekskl. moms)
Kr. 678,30
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 11. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 50 - 90 | Kr. 10,853 |
| 100 - 240 | Kr. 10,405 |
| 250 - 490 | Kr. 9,933 |
| 500 + | Kr. 9,253 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 222-4739P
- Producentens varenummer:
- IRF6636TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 81A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | DirectFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 2 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 6.4mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 42W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 18nC | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Længde | 4.85mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 3.95mm | |
| Højde | 0.68mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 81A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype DirectFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 2 | ||
Drain source modstand maks. Rds 6.4mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 42W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 18nC | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Længde 4.85mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 3.95mm | ||
Højde 0.68mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon-designet af HEXFET ® Power MOSFET Silicon-teknologi med Advanced Direct FETTM-emballage for at opnå den laveste modstand i en pakke, der har bundareal på EN SO-8- og kun 0,7 mm-profil. DirectFET-pakken er kompatibel med eksisterende layoutgeometrier, der anvendes til effektanvendelser, PCB-monteringsudstyr og dampfase, infrarød eller konvektionslodningsteknikker, når anvendelsesbemærkning AN-1035 følges vedrørende fremstillingsmetoder og processer.
100 % RG-testet lavt konduktion og skiftetab
Ultralav husinduktans, ideel til CPU Core DC-DC-konvertere