Infineon N-Kanal, MOSFET, 52 A 1.2 kV Forbedring, 4 Ben, TO-247, IMZ1
- RS-varenummer:
- 222-4865P
- Producentens varenummer:
- IMZ120R045M1XKSA1
- Brand:
- Infineon
Få rabat ved storkøb
Tilføj 10 flere for at gemme 4%
Se mængderabatterIndhold 5 enheder (leveres i et rør)*
Kr. 558,00
(ekskl. moms)
Kr. 697,50
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 339 enhed(er) afsendes fra 09. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Besparelse |
|---|---|---|
| 5 - 9 | Kr. 111,60 | - |
| 10 - 24 | Kr. 106,89 | 4% |
| 25 - 49 | Kr. 102,25 | 8% |
| 50 + | Kr. 95,22 | 14% |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 222-4865P
- Producentens varenummer:
- IMZ120R045M1XKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 52A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1.2kV | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Serie | IMZ1 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 45mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 52A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1.2kV | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Serie IMZ1 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 45mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon CoolSiC™ 1200 V, 45 mΩ SiC MOSFET i TO247-4-pakken bygger på en topmoderne rende halvlederproces, der er optimeret til at kombinere ydeevne med pålidelighed. Sammenlignet med traditionelle silicium-baserede switche som IGBT'er og MOSFET'er giver SiC MOSFET en række fordele.
Klassens bedste skift- og ledningstab
Benchmark høj tærskelspænding, Vth > 4 V.
0 V OFF gate-spænding for let og enkelt gate-drev
Bredt område for gate-source-spænding
Robust og diode med lavt tab, der er klassificeret til hård kommutation